Infineon Technologies CY7C1041GN30-10VXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.81 | Dhs. 15.81 |
| 15+ | Dhs. 15.30 | Dhs. 229.50 |
| 25+ | Dhs. 14.97 | Dhs. 374.25 |
| 50+ | Dhs. 14.14 | Dhs. 707.00 |
| 100+ | Dhs. 12.47 | Dhs. 1,247.00 |
| N+ | Dhs. 2.49 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C1041GN30-10VXIT - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La CY7C1041GN30-10VXIT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette SRAM asynchrone offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns et fonctionne sur une large plage de tensions, de 2,2 V à 3,6 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : cycle d'accès et d'écriture de 10 ns pour des opérations de données à haute vitesse.
- Organisation de la mémoire flexible : configuration 256 Ko x 16 optimisée pour les applications d’interface parallèle
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C en milieu industriel.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 2,2 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
- Boîtier CMS : boîtier 44-BSOJ pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les applications aérospatiales nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec un support à long terme.
Spécifications techniques complètes
En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un support tout au long du cycle de vie et des ressources techniques pour tous les composants semi-conducteurs Infineon.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 2,2 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
| RoHS |  |
CY7C1041GN30-10VXIT.pdf