Infineon Technologies CY7C109B-15VXCT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.57 | Dhs. 7.57 |
| 15+ | Dhs. 7.34 | Dhs. 110.10 |
| 25+ | Dhs. 7.18 | Dhs. 179.50 |
| 50+ | Dhs. 6.78 | Dhs. 339.00 |
| 100+ | Dhs. 5.99 | Dhs. 599.00 |
| N+ | Dhs. 1.20 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C109B-15VXCT - SRAM asynchrone haute vitesse 1 Mbit
La CY7C109B-15VXCT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeant un accès mémoire rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation de 128 Ko x 8, ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes temps réel, la mise en mémoire tampon des données et les applications de cache.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation flexible : la configuration 128 Ko x 8 offre une gestion optimale des données à l’échelle de l’octet
- Fiabilité industrielle : Plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants
- Interface standard : L'interface parallèle simplifie l'intégration dans les conceptions existantes
- Conditionnement compact : le boîtier CMS 32-BSOJ permet de gagner de la place sur la carte.
- Large plage de tension d'alimentation : tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les familles logiques standard.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de télécommunications, aux dispositifs de réseau, aux systèmes d'acquisition de données et aux applications de mémoire cache haute vitesse où un accès fiable et rapide à la mémoire volatile est essentiel.
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Spécifications techniques
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOJ |
| RoHS |  |
CY7C109B-15VXCT.pdf