Infineon Technologies CY7C109B-15ZXCT

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CY7C109B-15ZXCT - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY7C109B-15ZXCT d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des télécommunications et des systèmes industriels. Ce composant mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 15 ns et un fonctionnement fiable dans une plage de températures allant de 0 °C à 70 °C.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation flexible : architecture mémoire 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Fonctionnement fiable : plage de tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V avec interface asynchrone robuste
  • Gain de place : Boîtier compact 32-TSOP I pour montage en surface (largeur de 18,40 mm)
  • Qualité industrielle : Conçu pour les environnements exigeants nécessitant des performances constantes

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute vitesse est idéale pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les tampons de microcontrôleurs, la mémoire cache, les systèmes d'acquisition de données, les contrôleurs d'automatisation industrielle et les équipements de télécommunications. Son interface parallèle garantit une intégration parfaite avec les architectures de processeurs anciennes et modernes.

Qualité et conformité

Conforme à la directive RoHS et fabriqué selon les normes de qualité rigoureuses d'Infineon, le CY7C109B-15ZXCT répond aux exigences élevées des applications aérospatiales, automobiles, médicales et industrielles où la fiabilité est non négociable.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY