Infineon Technologies CY7C109BN-12ZXC

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La CY7C109BN-12ZXC d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone (mémoire vive statique) haute performance de 1 Mbit, conçue pour les systèmes embarqués exigeants et les applications électroniques industrielles. Dotée d'une organisation mémoire de 128 Ko x 8 et d'un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, cette mémoire intégrée à interface parallèle assure un stockage et une récupération fiables des données pour les systèmes à microcontrôleur, la mise en mémoire tampon, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel. Fonctionnant sous une tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V, la CY7C109BN-12ZXC offre une excellente compatibilité avec les systèmes logiques 5 V standard, tout en garantissant une faible consommation d'énergie et des performances élevées.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques et les systèmes de traitement à haute vitesse.
  • Fonctionnement asynchrone fiable : aucun signal d’horloge n’est requis, ce qui simplifie la conception du système et réduit la complexité temporelle dans les applications embarquées.
  • Compatibilité avec une large plage de tension : la tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V assure une excellente compatibilité avec les familles logiques TTL et CMOS standard.
  • Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 32-TSOP I (largeur de 18,4 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé pour les systèmes compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement, conforme aux normes internationales relatives aux substances dangereuses.
  • Plage de températures industrielles : la plage de fonctionnement de 0 °C à 70 °C garantit des performances fiables dans les environnements commerciaux et industriels.
  • Interface parallèle : L’architecture de bus parallèle standard permet une intégration simple avec les microcontrôleurs, les DSP et les FPGA.

Applications typiques

  • Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués
  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Matériel de télécommunications et de réseau
  • Instrumentation médicale et équipement de diagnostic
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Instruments de test et de mesure

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Ressources connexes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY