Infineon Technologies CY7C109BN-20ZXCT

Infineon CY7C109BN-20ZXCT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La CY7C109BN-20ZXCT d'Infineon Technologies est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 mégabit, haute vitesse et basse consommation, conçue pour les systèmes embarqués, le contrôle industriel, les télécommunications et la mise en mémoire tampon des données. Grâce à son temps d'accès rapide de 20 ns et à son interface parallèle asynchrone, ce circuit intégré de mémoire offre des performances fiables pour les applications critiques nécessitant des opérations de lecture/écriture rapides.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 offre une gestion optimale des données à l’échelle de l’octet
• Large plage de tension : la tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V prend en charge les systèmes anciens et modernes.
• Plage de températures industrielles : plage de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour des performances fiables dans des environnements exigeants.
• Boîtier CMS : Boîtier TSOP I compact 32 (largeur de 18,40 mm) optimisé pour l'assemblage automatisé et les circuits imprimés à espace restreint.
• Fonctionnement asynchrone : aucune horloge requise – simplifie la conception du système et réduit la consommation d’énergie
• Interface parallèle : L’interface de bus parallèle standard assure une intégration facile avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs.

Applications idéales

• Mémoire tampon et cache des données des systèmes embarqués
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Équipement de télécommunications
• Routeurs et commutateurs de réseau
• Instrumentation médicale
• Équipements de test et de mesure
• Mises à niveau et remplacements des systèmes existants

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Conditionnement : Disponible en bande et bobine (TR) pour les besoins de production à grand volume

Spécifications techniques complètes

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