Infineon Technologies CY7C128A-20VXCT

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Infineon CY7C128A-20VXCT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 16 kbits

La CY7C128A-20VXCT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone de 16 kbits (2K x 8) haute fiabilité, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Avec un temps d'accès ultrarapide de 20 ns et une plage de tension de fonctionnement robuste de 4,5 V à 5,5 V, cette SRAM offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire non volatile et une connectivité d'interface parallèle.

Conçue pour une durabilité et une stabilité à long terme, la puce CY7C128A-20VXCT est dotée d'un boîtier CMS 24-SOJ optimisé pour les conceptions à espace restreint, tout en conservant d'excellentes performances thermiques sur une plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C. Ce circuit intégré de mémoire est idéal pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les tables de correspondance et le stockage de données en temps réel dans les applications semi-conducteurs haute fiabilité.

Spécifications techniques

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : un cycle d'accès et d'écriture de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Interface parallèle fiable : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et les processeurs embarqués.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V offre flexibilité et compatibilité avec les systèmes anciens et modernes.
  • Boîtier CMS compact : boîtier 24-SOJ optimisé pour les circuits imprimés haute densité et l’assemblage automatisé
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour des conditions environnementales exigeantes.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
  • Organisation 2K x 8 : Architecture mémoire efficace pour le stockage et la récupération de données orientées octet

Applications

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Équipements de diagnostic médical et surveillance des patients
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Mise en mémoire tampon des données et mémoire cache dans les systèmes embarqués
  • Tables de consultation et stockage de configuration
  • Systèmes d'acquisition de données en temps réel

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 16 kbits
Organisation de la mémoire 2K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 24-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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