Infineon Technologies CY7C1399B-12VC

CY7C1399B-12VC - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

La CY7C1399B-12VC d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 256 kbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 32 Ko x 8, cette SRAM offre un stockage de données fiable et à faible latence pour les systèmes à microcontrôleur, la mise en mémoire tampon des données et les applications de mémoire cache.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
• Organisation flexible : architecture 32 Ko x 8 optimisée pour la gestion des données à l’échelle de l’octet
• Large plage de tension : fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les conceptions modernes à faible consommation.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C
• Boîtier CMS : boîtier 28-BSOJ (largeur de 7,62 mm) pour une intégration optimale sur le circuit imprimé.
• Interface parallèle : accès mémoire simple et direct sans protocoles complexes

Applications idéales

Cette SRAM asynchrone est idéale pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment le cache de microprocesseur, les tampons d'acquisition de données, les équipements de communication, les contrôleurs industriels et les instruments de test et de mesure.

Spécifications techniques complètes

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