Infineon Technologies CY7C1399B-12VXC

CY7C1399B-12VXC - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

La CY7C1399B-12VXC d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haut de gamme de 256 kbits conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Avec un temps d'accès et un temps de cycle d'écriture ultrarapides de 12 ns , ce composant mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes critiques en termes de temps.

Doté d'une organisation mémoire de 32 Ko x 8 et d'une interface parallèle, le CY7C1399B-12VXC offre un stockage de mémoire volatile fiable avec une large plage de tensions de fonctionnement de 3 V à 3,6 V. Le boîtier CMS 28-BSOJ (28-SOJ) assure la compatibilité avec les procédés d'assemblage de circuits imprimés modernes tout en maintenant des performances robustes sur une plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C.

Principales caractéristiques et avantages :

• Performances ultra-rapides : temps d’accès de 12 ns pour une récupération de données ultra-rapide
• Organisation flexible : configuration 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations à l’échelle de l’octet
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente
• Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
• Format compact : boîtier CMS 28-BSOJ
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Spécifications techniques

Applications

Le CY7C1399B-12VXC est idéal pour :

• Systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide
• équipements de contrôle et d'automatisation industriels
• Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
• Dispositifs IoT avec exigences de traitement en temps réel
• Routeurs de réseau et équipements de communication
• Instruments médicaux et dispositifs de diagnostic

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