Infineon Technologies CY7C1399B-12ZXCT

Infineon CY7C1399B-12ZXCT - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 256 kbits

La CY7C1399B-12ZXCT d'Infineon Technologies est une solution de mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 256 kbits, conçue pour les applications embarquées, industrielles et automobiles exigeantes. Grâce à son temps d'accès ultrarapide de 12 ns et à son interface parallèle fiable, ce circuit intégré de mémoire offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon de données en temps réel, la mémoire cache et les systèmes de traitement à haute vitesse.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible : architecture mémoire 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
• Fiabilité de qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour les environnements difficiles
• Boîtier compact : Boîtier de montage en surface 28-TSOP I (largeur de 11,80 mm)
• Interface parallèle : bus parallèle standard pour une intégration transparente avec les microcontrôleurs et les processeurs.

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide, notamment les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux et l'instrumentation aérospatiale.

Spécifications techniques complètes

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