Infineon Technologies CY7C1399B-15ZXIT

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CY7C1399B-15ZXIT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits

La CY7C1399B-15ZXIT d' Infineon Technologies est une SRAM (mémoire vive statique) asynchrone haute performance de 256 Kbits conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT nécessitant des solutions de mémoire rapides, fiables et à faible consommation.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 32 Ko x 8 offre un équilibre optimal entre densité et simplicité de l’interface.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V prend en charge les conceptions modernes à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Interface parallèle : L’interface de bus parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Boîtier CMS : boîtier TSSOP 28 broches (largeur de 11,80 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications typiques

Cette SRAM est idéale pour la mémoire tampon, la mémoire cache, l'enregistrement de données, le stockage de firmware, les registres de configuration et les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse dans le contrôle industriel, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées.

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Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY