Infineon Technologies CY7C199C-12VXC
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.42 | Dhs. 4.42 |
| 15+ | Dhs. 4.28 | Dhs. 64.20 |
| 25+ | Dhs. 4.19 | Dhs. 104.75 |
| 50+ | Dhs. 3.95 | Dhs. 197.50 |
| 100+ | Dhs. 3.49 | Dhs. 349.00 |
| N+ | Dhs. 0.70 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
Infineon CY7C199C-12VXC - SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits
La CY7C199C-12VXC d'Infineon Technologies est une mémoire vive statique asynchrone (SRAM) haute vitesse de 256 kbits (32 Ko x 8) conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns , cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes nécessitant un accès rapide aux données et des opérations mémoire à faible latence. Fonctionnant de manière fiable sur une large plage de tensions (4,5 V à 5,5 V) et de températures (0 °C à 70 °C), elle est idéale pour les systèmes de contrôle industriel, les équipements de télécommunications et les applications de calcul haute performance.
Conditionnée en boîtier compact 28-SOJ pour montage en surface , la CY7C199C-12VXC offre une excellente intégration sur carte tout en conservant des caractéristiques électriques robustes. Cette SRAM à interface parallèle s'intègre facilement aux conceptions existantes, sans nécessiter la complexité des protocoles série ni de la gestion d'horloge.
Spécifications techniques
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns permet une récupération de données à haute vitesse pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32 Ko x 8 offre un accès flexible aux données à l’échelle de l’octet
- Fonctionnement asynchrone : exigences de synchronisation simplifiées sans surcharge liée à la synchronisation d’horloge
- Large tolérance de tension : la plage d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V permet de s’adapter à diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements commerciaux et industriels
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans complexité de protocole série
- Boîtier CMS : format 28-SOJ optimisé pour l’assemblage automatisé et les circuits imprimés compacts.
- Technologie SRAM volatile : cycles de lecture/écriture rapides sans mécanisme d’usure
Applications typiques
- Mémoire cache et mémoire tampon du système embarqué
- Systèmes d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
- Équipements de télécommunications et de réseau
- Dispositifs d'acquisition de données et d'instrumentation
- Équipements électroniques et de diagnostic médicaux
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Systèmes d'acquisition et d'enregistrement de données à haute vitesse
- Extension de mémoire FPGA et microprocesseur
Pourquoi choisir les solutions SRAM d'Infineon ?
Infineon Technologies est un leader mondial de l'innovation dans le domaine des semi-conducteurs, proposant des solutions de mémoire éprouvées d'une fiabilité et de performances exceptionnelles. La série CY7C199C bénéficie de plusieurs décennies d'expertise en conception de SRAM, offrant aux ingénieurs une base fiable pour les applications critiques. Grâce à une documentation technique complète, une disponibilité mondiale et un support produit à long terme, les dispositifs SRAM d'Infineon garantissent la qualité et la fiabilité exigées par les équipes de conception professionnelles.
Ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de dispositifs semi-conducteurs de mémoire (EEPROM, Flash, DRAM et SRAM) pour vos projets embarqués et industriels. Visitez HQICKEY – Composants semi-conducteurs haut de gamme – pour consulter notre catalogue complet de composants électroniques authentiques et de haute qualité. Restez informé(e) des dernières actualités et analyses techniques du secteur des semi-conducteurs sur notre blog.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 256 kbits |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 28-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 28-SOJ |

CY7C199C-12VXC.pdf