Infineon Technologies CY7C199C-12VXCT

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CY7C199C-12VXCT - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits

La CY7C199C-12VXCT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits (32 Ko x 8) conçue pour les applications exigeant des temps d'accès rapides et une conservation fiable des données. Avec un temps d'accès et un cycle d'écriture de 12 ns, des performances inégalées sur le marché, cette SRAM offre une vitesse exceptionnelle pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels et les applications de mise en mémoire tampon de données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 32 Ko x 8 avec interface parallèle pour une intégration système polyvalente
  • Large plage de tension d'alimentation : fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V compatible avec les niveaux logiques TTL/CMOS standard.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements commerciaux et industriels.
  • Boîtier CMS : 28-BSOJ (largeur de 7,62 mm) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

  • Systèmes embarqués et mémoire cache de microcontrôleur
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Acquisition et mise en mémoire tampon des données
  • Équipements de réseau et de télécommunications
  • Instrumentation de test et de mesure
  • Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse

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Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans les composants semi-conducteurs authentiques, avec une traçabilité complète et une assurance qualité rigoureuse. Chaque unité CY7C199C-12VXCT provient directement de distributeurs agréés, garantissant ainsi la qualité Infineon et un support complet tout au long du cycle de vie. Notre approche axée sur l'ingénierie vous fournit une documentation technique, des conseils d'application et un service client réactif pour vous accompagner dans vos choix de conception.

Avantages en matière de performance

La mémoire SRAM asynchrone CY7C199C-12VXCT se distingue sur le marché par son temps d'accès exceptionnel de 12 ns, la rendant idéale pour les applications où chaque nanoseconde compte. Cette haute vitesse permet une intégration transparente dans les systèmes critiques en termes de temps, sans introduire de latence. Son architecture d'interface parallèle offre un débit maximal pour les opérations gourmandes en données, tandis que sa large plage de tension de 4,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les systèmes numériques anciens et modernes.

Considérations de conception

Lors de l'intégration du CY7C199C-12VXCT dans votre conception, tenez compte de la largeur compacte de 7,62 mm du boîtier 28-BSOJ, idéale pour les circuits imprimés à espace restreint. Sa configuration CMS facilite les processus d'assemblage automatisés, réduisant ainsi les coûts de fabrication et améliorant la fiabilité de la production. Sa plage de température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C le rend adapté aux environnements commerciaux et industriels, bien qu'une gestion thermique supplémentaire puisse être nécessaire pour les applications à températures élevées.

Qualité et fiabilité

L'excellence de fabrication d'Infineon Technologies garantit des performances constantes d'un lot de production à l'autre. Le CY7C199C-12VXCT est soumis à des protocoles de test rigoureux afin de répondre aux normes de qualité automobiles et industrielles. La conformité à la directive RoHS garantit une fabrication écoresponsable, respectant les exigences réglementaires internationales relatives aux composants électroniques sans plomb. Chaque composant est livré avec une documentation de traçabilité complète, facilitant ainsi la gestion de la qualité et le respect des normes.

Produits et ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY