Infineon Technologies CY7C199C-12ZXCT

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Infineon CY7C199C-12ZXCT - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 256 kbits

La puce CY7C199C-12ZXCT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 256 kbits conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 32 Ko x 8, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles et IoT.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible : la configuration 32K x 8 offre une structure de mémoire optimale pour diverses conceptions embarquées.
  • Large plage de tension d'alimentation : compatibilité avec les tensions d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
  • Boîtier compact : Boîtier CMS 28-TSOP I (largeur 0,465") pour les circuits imprimés haute densité
  • Interface parallèle : L’interface parallèle asynchrone standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Le CY7C199C-12ZXCT est idéal pour :

  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Électronique automobile et contrôleurs embarqués
  • Dispositifs IoT nécessitant une mémoire tampon rapide
  • Systèmes et instruments d'acquisition de données
  • Équipements de réseau et dispositifs de communication
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY