Infineon Technologies CY7C199CN-12VXIT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.72 | Dhs. 4.72 |
| 15+ | Dhs. 4.58 | Dhs. 68.70 |
| 25+ | Dhs. 4.48 | Dhs. 112.00 |
| 50+ | Dhs. 4.23 | Dhs. 211.50 |
| 100+ | Dhs. 3.74 | Dhs. 374.00 |
| N+ | Dhs. 0.75 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C199CN-12VXIT - SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits
La CY7C199CN-12VXIT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute performance de 256 kbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Cette SRAM asynchrone offre un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant une récupération rapide des données et des opérations mémoire à faible latence.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.
- Organisation de la mémoire flexible : la configuration 32 Ko x 8 offre une architecture de stockage de données polyvalente
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, convient aux environnements industriels.
- Fonctionnement sous tension standard : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes anciens et modernes.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Boîtier CMS : 28-BSOJ (0,300 pouce, largeur 7,62 mm) pour un assemblage automatisé et un gain de place.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications
Ce SRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Dispositifs d'acquisition de données et d'instrumentation
- Mémoire cache pour les conceptions à base de microprocesseurs
- Équipements de télécommunications et de réseau
- Électronique automobile (plage de températures étendue)
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 256 Kbits |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 28-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 28-SOJ |
| RoHS |  |
CY7C199CN-12VXIT.pdf