Infineon Technologies CY7C199CN-12ZXC
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.46 | Dhs. 4.46 |
| 15+ | Dhs. 4.31 | Dhs. 64.65 |
| 25+ | Dhs. 4.21 | Dhs. 105.25 |
| 50+ | Dhs. 3.98 | Dhs. 199.00 |
| 100+ | Dhs. 3.51 | Dhs. 351.00 |
| N+ | Dhs. 0.70 | Price Inquiry |
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Circuit intégré de mémoire SRAM haute vitesse Infineon CY7C199CN-12ZXC
La CY7C199CN-12ZXC d'Infineon Technologies est une SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 32 Ko x 8, cette SRAM offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles pour les systèmes critiques en termes de temps.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les applications en temps réel.
- Organisation flexible : l’interface parallèle 32K x 8 simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et processeurs 8 bits.
- Large plage de tension d'alimentation : tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V compatible avec les niveaux logiques TTL/CMOS standard.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
- Montage en surface compact : le boîtier TSOP I à 28 broches optimise l'espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les équipements de réseau, les télécommunications, l'électronique automobile et toute application nécessitant un stockage temporaire de données à haute vitesse.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 256 Kbits |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 28-TSOP I |
| RoHS |  |
CY7C199CN-12ZXC.pdf