Infineon Technologies CY7C199CN-12ZXCT
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.65 | Dhs. 4.65 |
| 15+ | Dhs. 4.48 | Dhs. 67.20 |
| 25+ | Dhs. 4.38 | Dhs. 109.50 |
| 50+ | Dhs. 4.14 | Dhs. 207.00 |
| 100+ | Dhs. 3.65 | Dhs. 365.00 |
| N+ | Dhs. 0.73 | Price Inquiry |
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Infineon CY7C199CN-12ZXCT - SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits
La CY7C199CN-12ZXCT d'Infineon Technologies est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits (32 Ko x 8) conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un accès mémoire rapide et fiable. Avec un temps d'accès et un cycle d'écriture ultrarapides de 12 ns, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les opérations critiques en termes de temps.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour une récupération de données à haute vitesse.
- Organisation flexible : architecture mémoire 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Large plage de tension : l’alimentation de 4,5 V à 5,5 V prend en charge les systèmes 5 V anciens et modernes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements commerciaux et industriels.
- Boîtier compact à montage en surface : le boîtier TSOP I à 28 broches (largeur de 11,80 mm) permet un gain de place sur la carte dans les conceptions denses.
- Interface parallèle : une interface simple et éprouvée réduit la complexité de conception et le temps d’intégration.
Applications idéales
Cette SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de télécommunications, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache et aux mises à niveau des systèmes existants nécessitant des solutions de mémoire alternatives non volatiles rapides.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 256 Kbits |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 28-TSOP I |
| RoHS |

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