Infineon Technologies CY7C199CN-20ZXI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.46 | Dhs. 4.46 |
| 15+ | Dhs. 4.31 | Dhs. 64.65 |
| 25+ | Dhs. 4.21 | Dhs. 105.25 |
| 50+ | Dhs. 3.98 | Dhs. 199.00 |
| 100+ | Dhs. 3.51 | Dhs. 351.00 |
| N+ | Dhs. 0.70 | Price Inquiry |
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CY7C199CN-20ZXI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits
La CY7C199CN-20ZXI d' Infineon Technologies est une mémoire SRAM (Static Random Access Memory) 256 Kbits haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeant un stockage de données rapide et fiable. Grâce à son organisation mémoire 32K x 8 et son temps d'accès ultrarapide de 20 ns, cette SRAM asynchrone offre des performances exceptionnelles pour les systèmes temps réel, les interfaces de microcontrôleurs et les applications de mise en mémoire tampon de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les applications critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 32 Ko x 8 offre un équilibre optimal entre densité et simplicité de l’interface.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Boîtier compact : Boîtier CMS 28-TSOP I (largeur 11,80 mm) idéal pour les circuits imprimés haute densité.
- Interface parallèle : L'interface mémoire parallèle standard assure une intégration facile avec les conceptions existantes
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mise en mémoire tampon de données rapide et non volatile avec une fiabilité éprouvée.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 256 Kbits |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 28-TSOP I |
| RoHS |  |
CY7C199CN-20ZXI.pdf