Everspin Technologies Inc. Everspin EM004LXQBB310ISCR - Circuit intégré de mémoire MRAM 4 Mbit xSPI à quatre E/S, boîtier TBGA 24 broches

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25+ Dhs. 33.62 Dhs. 840.50
50+ Dhs. 31.75 Dhs. 1,587.50
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Circuit intégré de mémoire MRAM 4 Mbit Everspin EM004LXQBB310ISCR

Mémoire vive magnétorésistive (MRAM) haute performance de 4 Mbit avec interface E/S quadruple xSPI, conçue pour les applications critiques exigeant une mémoire non volatile à endurance illimitée et à activation instantanée. Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle fonctionne à 108 MHz avec un temps d'accès de 7 ns, idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Technologie MRAM non volatile : conserve les données sans alimentation, combinant la vitesse de la SRAM et la persistance de la mémoire Flash.
  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 108 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour les applications temps réel exigeantes.
  • Interface d'E/S quadruple xSPI : débit amélioré grâce à une interface périphérique série quadruple
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à +85 °C en environnements difficiles
  • Endurance en écriture illimitée : aucun mécanisme d’usure, idéal pour l’enregistrement de données et les mises à jour fréquentes.
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Distribution autorisée : traçabilité et documentation complètes du fabricant incluses

Applications

Idéal pour les enregistreurs de vol aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les automates programmables industriels, les routeurs réseau, les dispositifs médicaux et tout système nécessitant un stockage non volatil fiable avec une capacité d'écriture instantanée et une endurance illimitée.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Everspin Technologies Inc.
Gamme de produits EMxxLX
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire BÉLIER
Technologie MRAM (RAM magnétorésistive)
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire xSPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 108 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-TBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 24-TBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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