Etron Technology, Inc. EM639165BM-5IH

Etron EM639165BM-5IH - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit

Le circuit intégré EM639165BM-5IH d'Etron Technology est une mémoire DRAM synchrone (SDRAM) haut de gamme de 128 Mbit, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile et des systèmes embarqués. Ce composant semi-conducteur authentique offre des performances fiables grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 4,5 ns, ce qui le rend idéal pour les besoins de traitement et de stockage de données à haute vitesse.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 4,5 ns garantissent un débit de données rapide.
• Configuration mémoire optimale : capacité de 128 Mbits avec une organisation 8 M x 16 pour une intégration système flexible
• Fiabilité de niveau industriel : plage de températures de fonctionnement étendue (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
• Conception compacte : le boîtier CMS 54-TFBGA (8x8) réduit l'encombrement sur le circuit imprimé.
• Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

La mémoire SDRAM EM639165BM-5IH est parfaitement adaptée aux applications suivantes :

• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
• Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
• Équipements médicaux et instruments de diagnostic
• Infrastructure de télécommunications
• Systèmes embarqués nécessitant une mémoire fiable et rapide

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