Etron Technology, Inc. EM639165TS-5IG
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.96 | Dhs. 5.96 |
| 15+ | Dhs. 5.76 | Dhs. 86.40 |
| 25+ | Dhs. 5.63 | Dhs. 140.75 |
| 50+ | Dhs. 5.32 | Dhs. 266.00 |
| 100+ | Dhs. 4.70 | Dhs. 470.00 |
| N+ | Dhs. 0.94 | Price Inquiry |
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EM639165TS-5IG - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 128 Mbit
La mémoire EM639165TS-5IG d'Etron Technology est une DRAM synchrone haut de gamme de 128 Mbit conçue pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT nécessitant des performances de mémoire fiables et rapides.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 128 Mbit avec une organisation de 8 M x 16
- Fréquence d'horloge de 200 MHz pour un accès rapide aux données
- Temps d'accès de 4,5 ns et temps de cycle d'écriture de 10 ns
- Large plage de tension de fonctionnement : 3 V à 3,6 V
- Plage de températures étendue : -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles
- Boîtier CMS 54-TSOP II pour des conceptions compactes
- Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
Ce circuit intégré SDRAM est idéal pour les applications exigeant des performances constantes dans des conditions environnementales difficiles, ce qui le rend parfait pour les systèmes de contrôle automobile, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et les plateformes embarquées critiques.
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
Le contrôleur EM639165TS-5IG est conçu pour les applications exigeantes, notamment les contrôleurs d'automatisation industrielle, les systèmes d'infodivertissement automobile, les équipements de diagnostic médical, l'infrastructure de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées où la fiabilité et les performances sont primordiales.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 4,5 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 54-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 54-TSOP II |
| RoHS |  |
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