Etron Technology, Inc. EM6GE08EW8D-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.93 | Dhs. 16.93 |
| 15+ | Dhs. 16.40 | Dhs. 246.00 |
| 25+ | Dhs. 16.05 | Dhs. 401.25 |
| 50+ | Dhs. 15.16 | Dhs. 758.00 |
| 100+ | Dhs. 13.37 | Dhs. 1,337.00 |
| N+ | Dhs. 2.67 | Price Inquiry |
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Etron EM6GE08EW8D-10H - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 4 Gbit EM6GE08EW8D-10H d'Etron Technology est conçu pour les applications exigeantes nécessitant des solutions de mémoire volatile rapides. Avec une organisation mémoire de 512 Mo x 8 et une fréquence d'horloge de 933 MHz, ce composant offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et aérospatiaux.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 20 ns.
- Configuration mémoire optimale : capacité de 4 Gbits organisée en 512 Mo x 8 pour une conception système flexible
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C (TC)
- Interface standard de l'industrie : interface mémoire parallèle pour une intégration transparente
- Boîtier compact pour montage en surface : 78-VFBGA (9 x 10,5 mm) pour des circuits imprimés à faible encombrement
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire vive DDR3 SDRAM est idéale pour :
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs médicaux nécessitant un traitement de données à haute vitesse
- applications aérospatiales et de défense
- Plateformes informatiques embarquées hautes performances
Qualité et conformité
Fabriquée par Etron Technology, Inc., un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire, la EM6GE08EW8D-10H répond à des normes de qualité rigoureuses et est conforme à la directive RoHS, garantissant ainsi la responsabilité environnementale et une fiabilité à long terme pour vos applications critiques.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-FBGA (9x10,5) |
| RoHS |  |
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