Etron Technology, Inc. EM6GE08EW9G-10H
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.93 | Dhs. 16.93 |
| 15+ | Dhs. 16.40 | Dhs. 246.00 |
| 25+ | Dhs. 16.05 | Dhs. 401.25 |
| 50+ | Dhs. 15.16 | Dhs. 758.00 |
| 100+ | Dhs. 13.37 | Dhs. 1,337.00 |
| N+ | Dhs. 2.67 | Price Inquiry |
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Etron EM6GE08EW9G-10H - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 4 Gbit EM6GE08EW9G-10H d'Etron Technology est conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 933 MHz et une organisation mémoire de 512 Mo x 8.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 20 ns.
- Capacité optimale : mémoire de 4 Gbit organisée en 512 Mo x 8 pour une intégration système flexible
- Fiabilité de qualité industrielle : large plage de températures de fonctionnement (0 °C à 95 °C TC) pour les environnements difficiles
- Conception compacte : boîtier CMS 78-FBGA (7,5 x 10,6 mm).
- Conforme aux normes : certifié RoHS pour la conformité environnementale
- Alimentation stable requise : plage de tension d’alimentation de 1,425 V à 1,575 V
Spécifications techniques
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués hautes performances, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux et l'électronique automobile nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec un support à long terme.
Qualité et conformité
En tant que distributeur agréé des composants Etron Technology, nous assurons une traçabilité complète et un support tout au long du cycle de vie. Ce composant est conforme aux normes environnementales RoHS et convient aux applications critiques exigeant une chaîne d'approvisionnement intègre et vérifiée.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Etron Technology, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 933 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 78-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 78-FBGA (7,5 x 10,6) |
| RoHS |  |
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