Etron Technology, Inc. EM6HD08EWUF-10IH

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Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 16.03 Dhs. 16.03
15+ Dhs. 15.51 Dhs. 232.65
25+ Dhs. 15.17 Dhs. 379.25
50+ Dhs. 14.33 Dhs. 716.50
100+ Dhs. 12.65 Dhs. 1,265.00
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Etron EM6HD08EWUF-10IH - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L haute performance

La mémoire SDRAM DDR3L EM6HD08EWUF-10IH d'Etron Technology est un composant haute fiabilité de 2 Gbits conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) dispose d'une architecture 256M x 8 et d'une fréquence d'horloge de 933 MHz, offrant des performances exceptionnelles dans un boîtier FBGA 78 broches compact.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 933 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 20 ns.
  • Faible consommation d'énergie : Technologie DDR3L avec une tension d'alimentation de 1,283 V à 1,45 V pour un fonctionnement écoénergétique
  • Plage de températures étendue : Température de fonctionnement de qualité industrielle de -40 °C à 95 °C (TC) pour les environnements difficiles
  • Emballage souple : disponible en bande coupée (CT) et en bande et bobine (TR) pour l’assemblage automatisé
  • Format compact : boîtier 78-VFBGA (8 x 10,5 mm) optimisé pour les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux infrastructures de télécommunications et aux dispositifs médicaux nécessitant un support à long terme et une traçabilité garantie.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir notre distributeur agréé ?

En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, un accompagnement à la gestion du cycle de vie et des ressources techniques pour l'intégration. Notre réseau de transport mondial garantit une livraison fiable et une manutention adaptée aux composants semi-conducteurs sensibles.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Etron Technology, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3L
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 933 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,283 V ~ 1,45 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-FBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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