Lexar Enterprise F60C1A0004-M79R

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Promotion Épuisé
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1 Dhs. 355,904.94 Dhs. 355,904.94
15+ Dhs. 344,665.84 Dhs. 5,169,987.60
25+ Dhs. 337,173.10 Dhs. 8,429,327.50
50+ Dhs. 318,441.26 Dhs. 15,922,063.00
100+ Dhs. 280,977.59 Dhs. 28,097,759.00
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Circuit intégré de mémoire DRAM DDR3L Lexar Enterprise - F60C1A0004-M79R

Circuit intégré de mémoire DRAM DDR3L 4 Gbit haute performance de Lexar Enterprise, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique présente une architecture 256 Mbits x 16 dans un boîtier compact à montage en surface (CMS) 96-BGA.

Caractéristiques principales

  • Mémoire haute densité : capacité de 4 Gbit avec une organisation de 256 M x 16
  • Fonctionnement à faible consommation : technologie DDR3L avec double alimentation (1,283 V-1,45 V / 1,425 V-1,575 V)
  • Large plage de températures : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 95 °C
  • Format compact : boîtier CMS 96-BGA pour des conceptions peu encombrantes
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
  • Stock autorisé : Composant Lexar Enterprise authentique avec documentation et traçabilité complètes du fabricant

Applications

Idéal pour les systèmes à haute fiabilité nécessitant des solutions de mémoire éprouvées : plateformes informatiques embarquées, systèmes de contrôle industriels, infrastructures de télécommunications, électronique automobile et applications aérospatiales.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir nos composants ? Nous fournissons des produits Lexar Enterprise authentiques, accompagnés d’une documentation complète du fabricant, d’une traçabilité totale et d’un support technique à long terme. Chaque composant provient de distributeurs agréés, garantissant ainsi son authenticité et sa fiabilité pour vos applications critiques.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Lexar Enterprise
Gamme de produits
Conditionnement |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie DRACHME
Taille de la mémoire 4 Gbit
Organisation de la mémoire 256M x 16
Interface mémoire -
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,283 V ~ 1,45 V, 1,425 V ~ 1,575 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui -
Emballage du dispositif du fournisseur 96-BGA
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY