GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128EWIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.38 | Dhs. 4.38 |
| 15+ | Dhs. 4.24 | Dhs. 63.60 |
| 25+ | Dhs. 4.15 | Dhs. 103.75 |
| 50+ | Dhs. 3.92 | Dhs. 196.00 |
| 100+ | Dhs. 3.46 | Dhs. 346.00 |
| N+ | Dhs. 0.69 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
GD25B128EWIGY - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 128 Mbit
La GD25B128EWIGY de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 128 Mbit haut de gamme conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Cette solution mémoire haute fiabilité est dotée d'une interface SPI Quad E/S cadencée à 133 MHz, offrant des performances exceptionnelles pour le stockage de données et l'exécution de code dans les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données.
- Interface d'E/S quadruple : la prise en charge des E/S quadruples SPI permet un débit de données plus rapide pour les applications gourmandes en bande passante.
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements automobiles et industriels.
- Alimentation flexible : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V compatible avec diverses architectures système
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Performances d'écriture fiables : temps de cycle d'écriture de 70 µs par mot et de 2,4 ms par page.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire Flash NOR est idéale pour les systèmes embarqués exigeant un stockage et une exécution de code fiables, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les objets connectés, les équipements réseau et l'électronique grand public. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste la rendent adaptée aux environnements d'exploitation difficiles.
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