GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16EEIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.12 | $2.12 |
| 15+ | $0.49 | $7.35 |
| 25+ | $0.48 | $12.00 |
| 50+ | $0.45 | $22.50 |
| 100+ | $0.40 | $40.00 |
| N+ | $0.08 | Price Inquiry |
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70 µs, 2 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x2) |
| RoHS |  |
Le GD25B16EEIGR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Ce composant authentique est doté d'une interface SPI à quatre entrées/sorties avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, ce qui le rend idéal pour les applications exigeant des opérations de lecture/écriture rapides et une faible consommation d'énergie.
Principales caractéristiques et avantages :
- Capacité de mémoire flash de 16 Mbit (2 Mo x 8) pour un stockage de données important.
- L'interface SPI Quad I/O permet un transfert de données à haut débit à 133 MHz.
- Large plage de tension de fonctionnement (2,7 V à 3,6 V) pour une intégration système flexible
- La plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
- Le boîtier compact 8-USON (3 x 2 mm) pour montage en surface permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Temps de cycle d'écriture rapide : 70 µs par mot, 2 ms par page
- Temps d'accès ultra-rapide de 7 ns pour une récupération de données ultra-rapide
- Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
Applications courantes :
Cette mémoire Flash NOR est idéale pour le stockage de microprogrammes embarqués, de code BIOS, de chargeurs de démarrage, de données de configuration et d'applications pour objets connectés. La fiabilité et les performances de la GD25B16EEIGR en font un choix sûr pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les appareils grand public et les équipements de télécommunications.
Composants authentiques avec assistance mondiale :
Nous fournissons exclusivement des composants GigaDevice authentiques, bénéficiant de la garantie constructeur complète. Chaque puce GD25B16EEIGR provient directement de distributeurs agréés et est expédiée dans le monde entier avec un emballage soigné et une protection contre les décharges électrostatiques.
Spécifications techniques complètes
Produits et ressources associés :
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