GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EYIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.68 | Dhs. 7.68 |
| 15+ | Dhs. 7.44 | Dhs. 111.60 |
| 25+ | Dhs. 7.28 | Dhs. 182.00 |
| 50+ | Dhs. 6.88 | Dhs. 344.00 |
| 100+ | Dhs. 6.07 | Dhs. 607.00 |
| N+ | Dhs. 1.21 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
| RoHS |
GD25B256EYIGR - Mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbit
La GD25B256EYIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR haut de gamme de 256 Mbits (32 Mo), conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Grâce à son interface SPI Quad E/S avancée, cette mémoire Flash offre des performances de lecture/écriture et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 256 Mbits organisée en 32 Mo x 8, idéale pour le stockage de firmware, l’enregistrement de données et l’exécution de code.
- Interface d'E/S quadruple SPI rapide : permet un transfert de données à haut débit pour les applications critiques en termes de performances.
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V assure la compatibilité avec diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Boîtier compact 8-WSON : format compact de 6 x 8 mm avec pastille exposée pour des performances thermiques supérieures.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Cette mémoire flash NOR est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux appareils IoT, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de réseau et à toute application nécessitant un stockage non volatil fiable avec une longue durée de vie.
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Spécifications techniques
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