GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B64CSIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.77 | Dhs. 2.77 |
| 15+ | Dhs. 2.69 | Dhs. 40.35 |
| 25+ | Dhs. 2.63 | Dhs. 65.75 |
| 50+ | Dhs. 2.48 | Dhs. 124.00 |
| 100+ | Dhs. 2.19 | Dhs. 219.00 |
| N+ | Dhs. 0.44 | Price Inquiry |
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GD25B64CSIGR - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La mémoire Flash NOR GD25B64CSIGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haut de gamme de 64 Mbits conçue pour les applications embarquées exigeantes. Dotée d'une interface SPI Quad E/S avancée, cette mémoire Flash offre des performances exceptionnelles avec des fréquences d'horloge allant jusqu'à 120 MHz, ce qui la rend idéale pour les applications industrielles, automobiles et électroniques grand public.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 120 MHz avec interface SPI à quatre E/S pour un transfert de données rapide
- Technologie Flash NOR fiable : l’architecture à cellule unique (SLC) garantit une intégrité et une endurance des données supérieures.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 8M x 8 offre des options de stockage polyvalentes
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C en milieu industriel.
- Faible consommation d'énergie : Fonctionne efficacement dans une plage de tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V
- Performances d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture d'un mot de 50 µs et d'une page de 2,4 ms.
- Boîtier compact : conception compacte à montage en surface 8 SOIC pour une optimisation optimale des circuits imprimés
Spécifications techniques
Applications
La mémoire GD25B64CSIGR est parfaitement adaptée à une vaste gamme d'applications, notamment les systèmes embarqués, les objets connectés, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriel, l'électronique grand public et le stockage de microprogrammes. Sa conception robuste et sa large plage de températures de fonctionnement en font un excellent choix pour les applications critiques exigeant un stockage de données non volatile fiable.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 50 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
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