GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B64ENIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.03 | Dhs. 3.03 |
| 15+ | Dhs. 2.93 | Dhs. 43.95 |
| 25+ | Dhs. 2.86 | Dhs. 71.50 |
| 50+ | Dhs. 2.70 | Dhs. 135.00 |
| 100+ | Dhs. 2.39 | Dhs. 239.00 |
| N+ | Dhs. 0.48 | Price Inquiry |
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GD25B64ENIGR - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
Le GD25B64ENIGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit (8 Mo) hautes performances, conçu pour les applications industrielles et embarquées. Cette mémoire Flash non volatile dispose d'une interface SPI à quatre E/S avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, offrant des performances de lecture/écriture rapides pour les applications gourmandes en données.
Principales caractéristiques et avantages
- Grande capacité de stockage : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le firmware, les données de configuration et le code applicatif.
- Interface haut débit : l’interface SPI Quad E/S avec une fréquence d’horloge de 133 MHz assure un transfert de données rapide et une réactivité système optimale.
- Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 70 µs et de pages de 2,4 ms permettent des mises à jour de données efficaces.
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour diverses conceptions de systèmes.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 4 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Temps d'accès réduit : un temps d'accès de 7 ns permet des opérations système à haute vitesse.
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, l'électronique grand public et toute application nécessitant un stockage de données non volatiles fiable avec des temps d'accès rapides.
Spécifications techniques
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Ressources supplémentaires
Pour plus d'informations techniques, de notes d'application et d'actualités du secteur, consultez notre blog technique où nous partageons les dernières nouveautés en matière d'électronique embarquée et de technologie des semi-conducteurs.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25B |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-UDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x4) |
GD25B64ENIGR.pdf