GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10CTIGR
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| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.29 | $0.29 |
| 15+ | $0.28 | $4.20 |
| 25+ | $0.27 | $6.75 |
| 50+ | $0.26 | $13.00 |
| 100+ | $0.23 | $23.00 |
| N+ | $0.05 | Price Inquiry |
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Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Double E/S |
| Fréquence d'horloge | 100 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 50 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
GD25D10CTIGR.pdf
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