GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FBARR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.20 | Dhs. 8.20 |
| 15+ | Dhs. 7.93 | Dhs. 118.95 |
| 25+ | Dhs. 7.76 | Dhs. 194.00 |
| 50+ | Dhs. 7.33 | Dhs. 366.50 |
| 100+ | Dhs. 6.47 | Dhs. 647.00 |
| N+ | Dhs. 1.29 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | - |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | - |
| Organisation de la mémoire | - |
| Interface mémoire | - |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | - |
| Emballage / Étui | - |
| Emballage du dispositif du fournisseur | - |
GD25F128FBARR - Circuit intégré de mémoire flash NOR 128 Mbit
Le GD25F128FBARR est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit, fabriqué par GigaDevice Semiconductor (HK) Limited. Ce composant de mémoire Flash série offre un stockage non volatil et fiable pour les systèmes embarqués, l'électronique industrielle et les applications critiques nécessitant une conservation des données à long terme et un accès rapide en lecture.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de mémoire flash NOR de 128 Mbits (16 Mo) pour le stockage du micrologiciel, des données de configuration et du code.
- Performances de lecture rapides : optimisées pour une exécution de code et une récupération de données rapides dans les applications embarquées
- Fiabilité de niveau industriel : Conçu pour une disponibilité à long terme et des performances constantes sur une large plage de températures.
- Interface série : L'interface de communication série compacte réduit le nombre de broches et la complexité du circuit imprimé.
- Conditionnement prêt pour la production : Fourni en bande et bobine pour l'assemblage automatisé et la fabrication en grande série
- Large gamme d'applications : Idéal pour l'automobile, le contrôle industriel, les objets connectés, les équipements de réseau et l'électronique grand public.
Applications
La mémoire Flash NOR GD25F128FBARR est parfaitement adaptée pour :
- Stockage du firmware et code de démarrage pour microcontrôleurs et FPGA
- Stockage des données de configuration dans les équipements de réseau et de télécommunications
- Enregistrement des données et stockage des paramètres dans les systèmes d'automatisation industrielle
- Code d'initialisation du BIOS et du système dans les plateformes informatiques embarquées
- Électronique automobile nécessitant une mémoire non volatile fiable
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Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et rigoureusement contrôlés, assortis d'un support technique dédié. Chaque unité GD25F128FBARR provient directement de circuits de distribution agréés, garantissant une authenticité à 100 % et une couverture complète de la garantie constructeur. Notre équipe d'ingénieurs assure la gestion du cycle de vie de vos composants afin de garantir leur disponibilité à long terme pour vos besoins de production.
Spécifications techniques
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