GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128DSIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.68 | Dhs. 4.68 |
| 15+ | Dhs. 4.54 | Dhs. 68.10 |
| 25+ | Dhs. 4.45 | Dhs. 111.25 |
| 50+ | Dhs. 4.20 | Dhs. 210.00 |
| 100+ | Dhs. 3.71 | Dhs. 371.00 |
| N+ | Dhs. 0.74 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 2,4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
GD25LB128DSIGR - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 128 Mbit
La mémoire Flash NOR SPI GD25LB128DSIGR de GigaDevice Semiconductor offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes embarqués, l'électronique automobile et les applications industrielles. Cette mémoire de 128 Mbits (16 Mo x 8) prend en charge quatre interfaces d'E/S, permettant des transferts de données à haut débit jusqu'à 120 MHz, avec une intégrité et une endurance des données supérieures.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d’horloge de 120 MHz et un temps d’accès de 7 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques, permettant ainsi des temps de démarrage plus courts et un traitement des données en temps réel.
- Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des systèmes alimentés par batterie et des conceptions économes en énergie, réduisant ainsi la consommation énergétique globale du système.
- Large plage de températures : sa température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C la rend adaptée aux environnements industriels et automobiles difficiles où la fiabilité est primordiale.
- Interface flexible : l’interface d’E/S quadruple SPI offre des options de connectivité polyvalentes pour diverses plateformes de microcontrôleurs, prenant en charge les modes SPI standard et quadruple haute vitesse.
- Stockage fiable : la technologie FLASH-NOR (SLC) non volatile garantit la conservation des données pendant plus de 20 ans et plus de 100 000 cycles de programmation/effacement pour les applications critiques.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS SOIC 8 broches (largeur de 5,30 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé tout en conservant d'excellentes performances thermiques.
- Protection avancée : protection matérielle intégrée en écriture, fonctions de protection logicielle et registre de sécurité OTP (programmable une seule fois) pour une sécurité des données renforcée.
Applications idéales
Cette solution de mémoire est parfaitement adaptée au stockage de firmware, de code de démarrage, à l'enregistrement de données, à la gestion de la configuration et aux applications de systèmes embarqués dans les calculateurs automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les objets connectés, les équipements médicaux, les compteurs intelligents et l'électronique grand public. La GD25LB128DSIGR excelle dans les applications exigeant une exécution de code fiable et un stockage de données non volatiles, même dans des conditions environnementales difficiles.
Spécifications techniques
Avantages en matière de performance
Le GD25LB128DSIGR se distingue par son débit de lecture exceptionnel, atteignant 60 Mo/s en mode Quad I/O, ce qui le rend idéal pour les applications exigeant une exécution de code et un accès aux données rapides. Il prend en charge des options d'effacement de secteur et de bloc flexibles (4 Ko, 32 Ko, 64 Ko) pour une gestion efficace de la mémoire, tandis que la fonction de programmation de pages permet d'écrire jusqu'à 256 octets en une seule opération.
Qualité et fiabilité
Fabriqué selon des procédés semi-conducteurs de pointe, le GD25LB128DSIGR répond aux normes de qualité les plus strictes des secteurs automobile et industriel. Chaque composant est soumis à des tests rigoureux afin de garantir des performances constantes sur toute la plage de températures, ce qui le rend idéal pour les applications critiques et à longue durée de vie.
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GD25LB128DSIGR.pdf