GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16EEIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.02 | Dhs. 2.02 |
| 15+ | Dhs. 1.97 | Dhs. 29.55 |
| 25+ | Dhs. 1.93 | Dhs. 48.25 |
| 50+ | Dhs. 1.82 | Dhs. 91.00 |
| 100+ | Dhs. 1.61 | Dhs. 161.00 |
| N+ | Dhs. 0.32 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,1 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x2) |
| RoHS |  |
GD25LB16EEIGR - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances
La GD25LB16EEIGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash SPI NOR haute performance de 16 Mbit (2M x 8) conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage fiable et non volatil. Cette puce de mémoire Flash avancée est dotée d'interfaces Quad I/O et QPI, offrant des vitesses de transfert de données exceptionnelles jusqu'à 133 MHz pour les applications les plus exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 133 MHz, associée à la prise en charge des E/S quadruples SPI et du QPI, garantit un accès et un transfert de données rapides.
- Alimentation flexible : une large plage de tension (1,65 V ~ 2,1 V) optimise la consommation d'énergie des appareils fonctionnant sur batterie.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Format compact : le boîtier CMS 8-USON (3 x 2 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 60 µs et de pages de 2,4 ms permettent un stockage de données efficace.
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 6 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.
Applications idéales
Cette mémoire flash NOR est idéale pour les appareils IoT, les objets connectés, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, l'électronique grand public et les systèmes embarqués nécessitant des capacités fiables de stockage de code et d'enregistrement de données.
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Spécifications techniques
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