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15+ Dhs. 7.93 Dhs. 118.95
25+ Dhs. 7.76 Dhs. 194.00
50+ Dhs. 7.33 Dhs. 366.50
100+ Dhs. 6.47 Dhs. 647.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25LB
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70 µs, 1,2 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 16-SOP

GD25LB256EFIRR - Circuit intégré de mémoire flash SPI NOR haute performance de 256 Mbit

La GD25LB256EFIRR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 256 Mbit (32 Mo x 8) haut de gamme dotée d'interfaces SPI Quad I/O, QPI et DTR avancées. Conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable, cette mémoire Flash offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 166 MHz et son temps d'accès ultra-rapide de 6 ns. Fonctionnant dans une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, avec une alimentation basse tension (1,65 V à 2 V), la GD25LB256EFIRR est idéale pour les applications automobiles, de contrôle industriel, IoT et critiques. Disponible en boîtier CMS SOIC 16 broches, conditionnée en bande et bobine pour une production à grande échelle.

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