GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EYJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.51 | Dhs. 9.51 |
| 15+ | Dhs. 9.20 | Dhs. 138.00 |
| 25+ | Dhs. 9.00 | Dhs. 225.00 |
| 50+ | Dhs. 8.50 | Dhs. 425.00 |
| 100+ | Dhs. 7.50 | Dhs. 750.00 |
| N+ | Dhs. 1.50 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 140 µs, 2 ms |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |
GD25LB256EYJGR - Mémoire Flash NOR haute fiabilité de 256 Mbits
La mémoire Flash NOR GD25LB256EYJGR de GigaDevice Semiconductor est une solution haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant de mémoire Flash avancé offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements de systèmes embarqués exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 166 MHz avec interfaces SPI Quad I/O, QPI et DTR garantit un accès et un transfert de données rapides.
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
- Faible consommation d'énergie : la tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l'efficacité énergétique des applications alimentées par batterie et embarquées.
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 5 ns permet une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
- Organisation flexible de la mémoire : l’architecture 32 Mo x 8 offre une gestion et un stockage des données polyvalents.
- Boîtier compact pour montage en surface : le plot exposé 8-WDFN (8-WSON 6x8) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
Spécifications techniques
Applications
Le GD25LB256EYJGR est idéal pour :
- calculateurs automobiles et systèmes ADAS
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Infrastructure de télécommunications
- Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents
- Stockage du micrologiciel embarqué
Pourquoi choisir GD25LB256EYJGR ?
Ce composant de mémoire Flash NOR allie haute fiabilité, large plage de températures de fonctionnement et performances élevées, ce qui en fait le choix idéal pour les ingénieurs concevant des systèmes embarqués de nouvelle génération. L'interface SPI Quad E/S offre une grande flexibilité de conception tout en maintenant un débit de données élevé. Grâce à sa fiabilité éprouvée dans les applications exigeantes et à sa qualification thermique complète, le GD25LB256EYJGR garantit que vos conceptions répondent aux exigences de fiabilité les plus strictes.
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