GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512ME3IRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.12 | Dhs. 17.12 |
| 15+ | Dhs. 16.58 | Dhs. 248.70 |
| 25+ | Dhs. 16.22 | Dhs. 405.50 |
| 50+ | Dhs. 15.32 | Dhs. 766.00 |
| 100+ | Dhs. 13.52 | Dhs. 1,352.00 |
| N+ | Dhs. 2.70 | Price Inquiry |
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GD25LB512ME3IRR - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 512 Mbits
La mémoire Flash NOR GD25LB512ME3IRR de GigaDevice Semiconductor est une solution haute fiabilité de 512 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Dotée d'une interface d'E/S SPI Quad avancée avec prise en charge DTR et d'une fréquence d'horloge de 133 MHz, cette mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un support à long terme et une traçabilité complète.
Principales caractéristiques et avantages
- Haute densité : organisation de la mémoire de 512 Mbit (64 Mo x 8).
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec prise en charge des E/S quadruples, QPI et DTR
- Faible consommation : tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Plage de températures étendue : de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Boîtier compact : conception à montage en surface 84-WLCSP
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire flash haute fiabilité est idéale pour :
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Électronique automobile et systèmes ADAS
- Automatisation et contrôle industriels
- Infrastructure de télécommunications
- Dispositifs et équipements médicaux
- IoT et systèmes embarqués
Qualité et assistance
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants GigaDevice authentiques avec une traçabilité complète, un support technique à long terme et des ressources techniques exhaustives. Tous nos produits sont expédiés dans le monde entier avec une documentation complète et une assistance à l'intégration.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 84-XFBGA, WLCSP |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 84-WLCSP |
| RoHS |  |
GD25LB512ME3IRR.pdf