GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEYIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.43 | Dhs. 15.43 |
| 15+ | Dhs. 14.96 | Dhs. 224.40 |
| 25+ | Dhs. 14.63 | Dhs. 365.75 |
| 50+ | Dhs. 13.82 | Dhs. 691.00 |
| 100+ | Dhs. 12.20 | Dhs. 1,220.00 |
| N+ | Dhs. 2.44 | Price Inquiry |
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GigaDevice GD25LB512MEYIGY - Mémoire Flash SPI NOR haute performance de 512 Mbit
La mémoire Flash NOR GD25LB512MEYIGY de GigaDevice Semiconductor est une mémoire haute densité et hautes performances de 512 Mbits dotée d'interfaces SPI Quad I/O, QPI et DTR avancées. Conçue pour une fiabilité et une rapidité optimales, cette mémoire Flash non volatile fonctionne à une fréquence d'horloge maximale de 133 MHz et supporte une large plage de tensions d'alimentation de 1,65 V à 2 V , ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués à faible consommation, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et les objets connectés (IoT).
Principales caractéristiques et avantages
- Haute densité : l’organisation de la mémoire de 512 Mbits (64 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et l’exécution du code.
- Performances rapides : la fréquence d'horloge de 133 MHz, associée à la prise en charge des E/S quadruples et du QPI, permet un accès et un transfert de données rapides.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des applications portables et alimentées par batterie.
- Plage de températures industrielles : La plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (6 x 8 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Technologie NAND SLC : l’architecture à cellule unique offre une endurance et une rétention des données supérieures.
Applications typiques
Cette mémoire Flash NOR polyvalente est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable, notamment les automates industriels, les calculateurs automobiles, les routeurs réseau, les dispositifs médicaux, les compteurs intelligents et l'électronique grand public. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste en font un excellent choix pour les applications critiques exigeant une fiabilité à long terme et une intégrité des données optimale.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont garanties par GigaDevice Semiconductor. Ce produit est conforme à la directive RoHS et bénéficie d'une documentation de traçabilité complète pour une assurance qualité optimale.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (6x8) |

GD25LB512MEYIGY.pdf