GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64ENIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.22 | Dhs. 3.22 |
| 15+ | Dhs. 3.10 | Dhs. 46.50 |
| 25+ | Dhs. 3.03 | Dhs. 75.75 |
| 50+ | Dhs. 2.86 | Dhs. 143.00 |
| 100+ | Dhs. 2.53 | Dhs. 253.00 |
| N+ | Dhs. 0.51 | Price Inquiry |
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GD25LB64ENIGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La GD25LB64ENIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR SPI (Serial Peripheral Interface) haut de gamme de 64 Mbits, conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Ce composant de mémoire Flash avancé est doté d'interfaces Quad I/O et QPI, offrant un débit de données exceptionnel à une fréquence d'horloge de 133 MHz pour les applications industrielles et grand public les plus exigeantes.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 M x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
- Performances ultra-rapides : une fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
- Interface avancée : l’interface SPI avec prise en charge des E/S quadruples et de l’interface QPI permet une intégration flexible et un transfert de données à haut débit.
- Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Plage de températures industrielles : la température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 4 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Cycles d'écriture rapides : des temps d'écriture de 60 µs pour les mots et de 2,4 ms pour les pages accélèrent les opérations de programmation des données.
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire Flash NOR est parfaitement adapté à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux appareils IoT, à l'électronique grand public, aux systèmes embarqués, au stockage BIOS/firmware, aux applications d'enregistrement de données et à la mémoire de configuration pour les FPGA et les microcontrôleurs.
Pourquoi choisir la mémoire flash GigaDevice ?
GigaDevice Semiconductor propose des solutions de mémoire flash de pointe, reconnues pour leur fiabilité, leur prix compétitif et leur assistance technique complète. La série GD25LB associe une technologie NAND SLC de dernière génération à une conception robuste pour les applications critiques où l'intégrité et la durée de vie des données sont primordiales.
Spécifications techniques
Assurance qualité et authenticité
Chez HQICKEY, nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants GigaDevice, provenant directement de distributeurs agréés. Chaque circuit intégré GD25LB64ENIGR est soumis à un contrôle qualité rigoureux et est accompagné d'une documentation de traçabilité complète, vous assurant ainsi de recevoir des composants authentiques et neufs pour vos projets critiques.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-UDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x4) |

GD25LB64ENIGR.pdf