GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64EWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.22 | Dhs. 3.22 |
| 15+ | Dhs. 3.10 | Dhs. 46.50 |
| 25+ | Dhs. 3.03 | Dhs. 75.75 |
| 50+ | Dhs. 2.86 | Dhs. 143.00 |
| 100+ | Dhs. 2.53 | Dhs. 253.00 |
| N+ | Dhs. 0.51 | Price Inquiry |
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GD25LB64EWIGR - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La GD25LB64EWIGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 64 Mbit (8 Mo) haut de gamme, conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeantes. Cette mémoire Flash haute fiabilité est dotée d'interfaces SPI et QPI à quatre E/S, offrant des performances de lecture/écriture exceptionnelles jusqu'à une fréquence d'horloge de 133 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Grande capacité de stockage : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et le stockage du code.
- Interface haut débit : la prise en charge des interfaces SPI et QPI à quatre entrées/sorties permet des débits de transfert de données rapides jusqu'à 133 MHz.
- Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Plage de températures industrielles : Conçu pour un fonctionnement de -40 °C à 85 °C, il garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
- Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 60 µs et de pages de 2,4 ms accélèrent les opérations de programmation.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
Applications idéales
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les appareils IoT, les systèmes embarqués, le stockage de firmware, les équipements d'enregistrement de données et l'électronique grand public nécessitant des solutions de mémoire non volatile.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LB |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
GD25LB64EWIGR.pdf