GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16ETIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 1.87 | Dhs. 1.87 |
| 15+ | Dhs. 1.83 | Dhs. 27.45 |
| 25+ | Dhs. 1.79 | Dhs. 44.75 |
| 50+ | Dhs. 1.69 | Dhs. 84.50 |
| 100+ | Dhs. 1.49 | Dhs. 149.00 |
| N+ | Dhs. 0.30 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LE |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
GD25LE16ETIGR - Mémoire Flash NOR haute performance de 16 Mbit
Le GD25LE16ETIGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 16 Mbit haute fiabilité, conçu pour les applications embarquées exigeantes. Doté d'interfaces SPI et d'E/S quadruples avancées avec prise en charge QPI, ce circuit intégré offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 6 ns. Il est ainsi idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les applications de firmware dans les secteurs industriel, automobile et de l'électronique grand public.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface flexible : prise en charge des interfaces SPI, Quad I/O et QPI pour une intégration système polyvalente.
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V pour les applications basse consommation
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Boîtier compact : Boîtier CMS 8-SOP peu encombrant (largeur de 3,90 mm)
- Stockage fiable : mémoire flash NOR 16 Mbits (2 Mo x 8) avec technologie SLC
- Cycles d'écriture rapides : écriture d'un mot en 60 µs, écriture d'une page en 2,4 ms pour une programmation efficace
Spécifications techniques
Applications
Le GD25LE16ETIGR est parfaitement adapté à une large gamme d'applications de systèmes embarqués, notamment :
- Stockage du firmware et du code de démarrage dans les systèmes à microcontrôleur
- stockage des données de configuration et des paramètres
- enregistreurs de données et boîtes noires
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Électronique grand public et objets connectés
- Dispositifs et instruments médicaux
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