GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255EWIGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.49 | Dhs. 7.49 |
| 15+ | Dhs. 7.27 | Dhs. 109.05 |
| 25+ | Dhs. 7.11 | Dhs. 177.75 |
| 50+ | Dhs. 6.72 | Dhs. 336.00 |
| 100+ | Dhs. 5.93 | Dhs. 593.00 |
| N+ | Dhs. 1.19 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LE |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
GD25LE255EWIGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 256 Mbit
Le GD25LE255EWIGR de GigaDevice Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 256 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage non volatil fiable et à longue durée de vie. Ce composant authentique est doté d'interfaces Quad I/O et QPI pour un transfert de données rapide jusqu'à 133 MHz, ce qui le rend idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les applications de firmware dans des environnements exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de stockage de 256 Mbit (32 Mo) : espace suffisant pour le firmware, les données de configuration et le code applicatif.
- Interface SPI Quad I/O et QPI - Communication série haute vitesse avec modes d'E/S flexibles
- Fréquence d'horloge de 133 MHz - Opérations de lecture/écriture rapides pour les applications critiques en termes de temps.
- Large plage de tension (1,65 V - 2 V) - Fonctionnement à faible consommation adapté aux applications alimentées par batterie et aux conceptions économes en énergie
- Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Performances fiables même dans des environnements difficiles
- Boîtier compact 8-WSON (5 x 6 mm) - Conception à montage en surface peu encombrante avec pastille exposée pour la gestion thermique
- Cycles d'écriture rapides : écriture de mots en 60 µs, écriture de pages en 2,4 ms pour une programmation efficace
- Temps d'accès de 6 ns - Récupération rapide des données pour des performances système optimales
Applications idéales
Idéal pour les équipementiers et les intégrateurs de systèmes travaillant sur des appareils IoT, des contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements médicaux, l'électronique grand public et tout système embarqué nécessitant une mémoire non volatile fiable avec une disponibilité à long terme et un support technique.
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Spécifications techniques
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