GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64E3IGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.22 | Dhs. 3.22 |
| 15+ | Dhs. 3.14 | Dhs. 47.10 |
| 25+ | Dhs. 3.07 | Dhs. 76.75 |
| 50+ | Dhs. 2.90 | Dhs. 145.00 |
| 100+ | Dhs. 2.56 | Dhs. 256.00 |
| N+ | Dhs. 0.51 | Price Inquiry |
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GD25LE64E3IGR - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La GD25LE64E3IGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 64 Mbits haute densité et basse tension, conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable et rapide. Ce composant industriel intègre des interfaces SPI et Quad I/O avancées, offrant des performances exceptionnelles pour les applications automobiles, l'IoT industriel et l'électronique grand public.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de stockage de 64 Mbit (8 Mo) : l’organisation 8M x 8 offre un espace suffisant pour le stockage du firmware, des données de configuration et du code.
- Fonctionnement à très basse tension : la plage d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
- Options d'interface flexibles : les modes SPI, Quad I/O et QPI prennent en charge diverses architectures système et exigences en matière de bande passante.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des conditions environnementales difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier 8-WLCSP (Wafer-Level Chip Scale Package) minimise l'espace requis sur le circuit imprimé.
- Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 60 µs et de pages de 2,4 ms accélèrent les opérations de programmation.
Applications idéales
Idéal pour les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs IoT périphériques, les compteurs intelligents, les équipements médicaux, l'électronique grand public et tout système embarqué nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable et à haute vitesse.
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Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LE |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-XFBGA, WLCSP |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WLCSP |
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