GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ENEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.16 | Dhs. 4.16 |
| 15+ | Dhs. 4.03 | Dhs. 60.45 |
| 25+ | Dhs. 3.94 | Dhs. 98.50 |
| 50+ | Dhs. 3.72 | Dhs. 186.00 |
| 100+ | Dhs. 3.29 | Dhs. 329.00 |
| N+ | Dhs. 0.66 | Price Inquiry |
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GD25LE64ENEGR - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit
La GD25LE64ENEGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR SPI (Serial Peripheral Interface) haute performance de 64 Mbits, conçue pour les systèmes embarqués, les applications industrielles et les objets connectés (IoT) nécessitant un stockage non volatil fiable. Ce circuit intégré de mémoire Flash avancé est doté d'interfaces Quad I/O et QPI, offrant des performances de lecture/écriture exceptionnelles à des fréquences d'horloge allant jusqu'à 133 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et des conceptions économes en énergie.
- Plage de températures étendue : sa température de fonctionnement de -40 °C à 125 °C la rend idéale pour les applications automobiles, industrielles et en environnements difficiles.
- Interface flexible : la prise en charge des interfaces SPI, Quad I/O et QPI offre des options d’intégration polyvalentes pour diverses architectures système.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (3 x 4 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Stockage fiable : l'organisation de la mémoire 8M x 8 offre une capacité de 64 Mbit grâce à la technologie Flash SLC NOR éprouvée.
Spécifications techniques
Applications
Le GD25LE64ENEGR est parfaitement adapté pour :
- Systèmes électroniques automobiles et ADAS
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Dispositifs IoT périphériques et capteurs intelligents
- Stockage du firmware embarqué et code de démarrage
- Enregistrement des données et stockage de la configuration
- Électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile fiable
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Ressources et assistance techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LE |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-UDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x4) |
GD25LE64ENEGR.pdf