GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ESIGY
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 2.85 | Dhs. 2.85 |
| 15+ | Dhs. 2.76 | Dhs. 41.40 |
| 25+ | Dhs. 2.70 | Dhs. 67.50 |
| 50+ | Dhs. 2.55 | Dhs. 127.50 |
| 100+ | Dhs. 2.25 | Dhs. 225.00 |
| N+ | Dhs. 0.45 | Price Inquiry |
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GD25LE64ESIGY - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances
La GD25LE64ESIGY de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR 64 Mbit haut de gamme conçue pour les applications embarquées exigeantes. Cette puce mémoire Flash haute performance offre une fiabilité et une vitesse exceptionnelles, ce qui la rend idéale pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les objets connectés et l'électronique grand public.
Principales caractéristiques et avantages
- Grande capacité de stockage : mémoire de 64 Mbits (8 Mo) organisée en 8 M x 8, offrant un espace suffisant pour le firmware, l’enregistrement des données et le code applicatif.
- Performances ultra-rapides : une fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
- Interface avancée : la prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI permet une communication série à haut débit avec un nombre minimal de broches.
- Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
- Plage de températures industrielles : sa température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C la rend adaptée aux environnements difficiles.
- Conservation fiable des données : la technologie NOR Flash SLC garantit une endurance et une intégrité des données supérieures.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS SOIC 8 broches (largeur de 5,30 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
Spécifications techniques
Applications
Le GD25LE64ESIGY est parfaitement adapté pour :
- Stockage du micrologiciel du système embarqué
- Applications BIOS et code de démarrage
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- Appareils IoT et domotiques
- Équipements et instruments médicaux
- Infrastructure de télécommunications
- Électronique grand public et objets connectés
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Ressources et assistance techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LE |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
GD25LE64ESIGY.pdf