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La GD25LE64EXEEGR est une solution de mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances de GigaDevice Semiconductor, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire avancé offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans un boîtier compact 8-FO-USON (3x2).

Principales caractéristiques et avantages :

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Interface flexible : la prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI permet une intégration polyvalente avec divers microcontrôleurs et processeurs.
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
  • Plage de température étendue : un fonctionnement de -40 °C à 125 °C garantit des performances fiables dans des environnements industriels difficiles.
  • Encombrement réduit : le boîtier à pastilles exposées 8-XFDFN (3 x 2 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé dans les conceptions à espace restreint.
  • Fiabilité éprouvée : la technologie SLC FLASH de GigaDevice offre des performances constantes et une conservation des données à long terme.

Applications idéales : automatisation industrielle, électronique automobile, objets connectés, systèmes embarqués, enregistrement de données, stockage de micrologiciels et applications critiques nécessitant une mémoire non volatile d’une fiabilité exceptionnelle.

Pourquoi choisir HQICKEY : Nous fournissons des composants GigaDevice authentiques avec un support complet tout au long du cycle de vie, une documentation technique et une assistance en ingénierie pour garantir le succès de votre conception.

Spécifications techniques

Produits et ressources associés :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Gamme de produits GD25LE
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR (SLC)
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100 µs, 4 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-XFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-FO-USON (3x2)

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