GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EFJRR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 5.69 | Dhs. 5.69 |
| 15+ | Dhs. 5.51 | Dhs. 82.65 |
| 25+ | Dhs. 5.39 | Dhs. 134.75 |
| 50+ | Dhs. 5.09 | Dhs. 254.50 |
| 100+ | Dhs. 4.49 | Dhs. 449.00 |
| N+ | Dhs. 0.90 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 16-SOP |
GD25LQ128EFJRR - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 128 Mbit
La GD25LQ128EFJRR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 128 Mbit haut de gamme conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Dotée d'une interface d'E/S SPI Quad avancée et d'une fréquence d'horloge de 120 MHz, cette puce offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles et une consommation d'énergie ultra-faible (tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V).
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 120 MHz avec un temps d'accès de 6 ns assure une récupération rapide des données.
- Interface d'E/S quadruple : l'interface SPI Quad E/S permet un débit plus rapide pour les applications gourmandes en bande passante.
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 105 °C, idéale pour les environnements industriels et automobiles.
- Conception basse consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique.
- Technologie NOR fiable : la mémoire FLASH-NOR à cellule unique (SLC) garantit l’intégrité et la longévité des données.
- Organisation flexible : organisation de la mémoire 16M x 8 avec une capacité de 128 Mbit
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire Flash NOR polyvalente est idéale pour :
- Systèmes embarqués nécessitant un démarrage rapide et une exécution de code rapide
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Infrastructure réseau et télécommunications
- Dispositifs et instruments médicaux
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