GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EQEGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 6.26 | Dhs. 6.26 |
| 15+ | Dhs. 6.06 | Dhs. 90.90 |
| 25+ | Dhs. 5.93 | Dhs. 148.25 |
| 50+ | Dhs. 5.60 | Dhs. 280.00 |
| 100+ | Dhs. 4.94 | Dhs. 494.00 |
| N+ | Dhs. 0.99 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-XDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USONS (4x4) |
GD25LQ128EQEGR - Circuit intégré de mémoire flash NOR haute performance de 128 Mbit
La GD25LQ128EQEGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 128 Mbit (16 Mo x 8) haut de gamme, conçue pour les applications industrielles, automobiles et systèmes embarqués exigeantes. Dotée d'une interface SPI Quad E/S avancée et d'une fiabilité exceptionnelle sur une large plage de températures, cette puce offre les performances et la longévité nécessaires à vos projets critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 120 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
- Interface d'E/S quadruple : l'architecture d'E/S quadruple SPI maximise le débit tout en minimisant le nombre de broches.
- Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 125 °C, idéal pour les environnements automobiles et industriels.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-USON (4 x 4 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Authentiques et traçables : composants GigaDevice 100 % authentiques, avec un engagement sur l’ensemble du cycle de vie et une transparence totale de la chaîne d’approvisionnement.
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire Flash NOR excelle dans les dispositifs IoT, les modules de commande automobile, les systèmes d'automatisation industrielle, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application embarquée nécessitant un stockage de programme non volatil et à haute vitesse avec une fiabilité exceptionnelle.
Spécifications techniques
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