GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128ESJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.46 | Dhs. 4.46 |
| 15+ | Dhs. 4.31 | Dhs. 64.65 |
| 25+ | Dhs. 4.21 | Dhs. 105.25 |
| 50+ | Dhs. 3.98 | Dhs. 199.00 |
| 100+ | Dhs. 3.51 | Dhs. 351.00 |
| N+ | Dhs. 0.70 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
GD25LQ128ESJGR - Mémoire Flash NOR Quad E/S SPI haute performance de 128 Mbit
La GD25LQ128ESJGR de GigaDevice Semiconductor est une mémoire Flash NOR 128 Mbit haut de gamme conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Dotée d'une interface SPI Quad E/S avancée, cette solution mémoire offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 120 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 6 ns, ce qui la rend idéale pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les mises à jour de firmware dans les systèmes critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l'organisation de la mémoire de 128 Mbit (16 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour les applications embarquées complexes.
- Performances ultra-rapides : une fréquence d’horloge de 120 MHz avec un temps d’accès de 6 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
- Interface E/S quadruple : la technologie E/S quadruple SPI maximise le débit tout en minimisant le nombre de broches pour les conceptions à espace restreint.
- Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils portables et alimentés par batterie.
- Plage de température étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TA) garantissant la fiabilité dans les environnements industriels et automobiles difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 8 SOIC (largeur de 5,30 mm) permet des implantations de circuits imprimés haute densité.
- Performances d'écriture rapides : des cycles d'écriture de mots de 60 µs et de pages de 2,4 ms accélèrent les opérations de programmation de données.
Spécifications techniques
Applications
Le GD25LQ128ESJGR est parfaitement adapté à une large gamme d'applications embarquées et industrielles, notamment :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Équipements et instruments médicaux
- Infrastructure de télécommunications
- Électronique grand public et objets connectés
- stockage du BIOS et du firmware
- enregistreurs de données et boîtes noires
Pourquoi choisir la mémoire flash NOR de GigaDevice ?
GigaDevice Semiconductor est un fournisseur mondial de premier plan de solutions de mémoire haute fiabilité, plébiscité par les ingénieurs du monde entier pour sa qualité exceptionnelle, ses performances et son support tout au long du cycle de vie. La série GD25LQ associe la technologie éprouvée de mémoire flash SLC NOR à des procédés de fabrication avancés afin de garantir des performances constantes et fiables sur toute la plage de températures de fonctionnement.
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