GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EWJGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | $6.13 | $6.13 |
| 15+ | $1.41 | $21.15 |
| 25+ | $1.38 | $34.50 |
| 50+ | $1.30 | $65.00 |
| 100+ | $1.15 | $115.00 |
| N+ | $0.23 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
GD25LQ128EWJGR - Mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit
La GD25LQ128EWJGR de GigaDevice Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR 128 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications embarquées, automobiles et industrielles exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à son interface SPI Quad E/S et sa fréquence d'horloge de 120 MHz, ce qui le rend idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les applications de firmware.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 120 MHz avec un temps d'accès de 6 ns assure une récupération rapide des données.
- Interface d'E/S quadruple : l'interface SPI Quad I/O permet des débits de transfert de données plus rapides pour les applications gourmandes en bande passante.
- Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 105 °C permet de supporter les environnements industriels difficiles.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Stockage fiable : organisation 16 M x 8 avec une capacité de 128 Mbit pour un stockage étendu de code et de données.
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire Flash NOR polyvalente est parfaitement adaptée pour :
- Stockage du micrologiciel du système embarqué
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Contrôle et automatisation industriels
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Électronique grand public nécessitant une exécution de code fiable
- Enregistrement des données et stockage de la configuration
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