GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16ENAGR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 3.22 | Dhs. 3.22 |
| 15+ | Dhs. 3.14 | Dhs. 47.10 |
| 25+ | Dhs. 3.07 | Dhs. 76.75 |
| 50+ | Dhs. 2.90 | Dhs. 145.00 |
| 100+ | Dhs. 2.56 | Dhs. 256.00 |
| N+ | Dhs. 0.51 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| Gamme de produits | GD25LQ |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR (SLC) |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 4 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2,1 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-UDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (3x4) |
Solution de mémoire flash NOR haute performance de 16 Mbit
La mémoire flash non volatile GD25LQ16ENAGR de GigaDevice Semiconductor offre une solution de stockage fiable pour les applications embarquées exigeantes. Cette mémoire flash NOR de 16 Mbits est dotée d'interfaces SPI Quad I/O et QPI avancées, permettant des transferts de données à haut débit jusqu'à une fréquence d'horloge de 133 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
Performances supérieures : Avec un temps d’accès de 6 ns et une fréquence d’horloge de 133 MHz, cette mémoire flash garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques. L’interface SPI Quad E/S optimise le débit tout en préservant l’efficacité des broches.
Large plage de fonctionnement : Conçu pour une fiabilité de niveau industriel, fonctionnant de -40 °C à 125 °C (TA), ce qui le rend idéal pour les applications automobiles, les systèmes de contrôle industriels et les environnements difficiles.
Options d'alimentation flexibles : la plage de tension d'alimentation de 1,65 V à 2,1 V assure la compatibilité avec diverses architectures système et permet des implémentations de conception à faible consommation.
Empreinte compacte : Le boîtier de montage en surface 8-USON (3x4mm) avec pastille exposée offre d'excellentes performances thermiques dans les conceptions à espace limité.
Applications
- Systèmes embarqués et stockage de microprogrammes
- Automatisation et contrôle industriels
- électronique automobile
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- Électronique grand public
- Équipement médical
- Infrastructure de télécommunications
Points saillants des spécifications techniques
- Organisation de la mémoire : architecture 2M x 8
- Temps de cycle d'écriture : 100 µs (mot), 4 ms (page)
- Conditionnement : Bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé
- Technologie : FLASH - NOR (SLC) pour une fiabilité supérieure
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